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J-GLOBAL ID：201402246827325032   整理番号：14A0747104

透過性面内ゲート構造によるダイヤモンドの単一窒素空孔への取り組み

Addressing Single Nitrogen-Vacancy Centers in Diamond with Transparent in-Plane Gate Structures

著者 (11件)： HAUF Moritz V. (Technische Univ. Muenchen, Munich, DEU) ,  SIMON Patrick (Technische Univ. Muenchen, Munich, DEU) ,  ASLAM Nabeel (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU) ,  PFENDER Matthias (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU) ,  NEUMANN Philipp (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU) ,  PEZZAGNA Sebastien (Univ. Leipzig, Leipzig, DEU) ,  MEIJER Jan (Univ. Leipzig, Leipzig, DEU) ,  WRACHTRUP Joerg (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU) ,  STUTZMANN Martin (Technische Univ. Muenchen, Munich, DEU) ,  REINHARD Friedemann (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU) ,  GARRIDO Jose A. (Technische Univ. Muenchen, Munich, DEU)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 14  号： 5  ページ： 2359-2364  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 面内ゲート構造を持つ全固体ダイヤモンド表面素子を作製し,ドープされている単一NV中心を非発光暗状態から,中性状態NV⁰を横切って負状態NV^-への可逆的な操作に初めて成功した。窒素ドープダイヤモンドの表面において,ドレインからソースに向かう電導性の水素終端表面域を,線状の酸素終端のポテンシャル障壁により両側から~100nmに狭隘化し,これを横切ってゲート電圧を印加しチャネル電導度を変調した。線状の酸素終端近傍を共焦点顕微鏡により観測し,発光によりNV中心の位置を確かめ,発光スペクトルを用いて電荷状態がゲート電圧により暗状態,NV⁰,及びNV^-と可逆的に変えられることを示した。即ちゲート電圧は線状の酸素終端の近傍のバンド曲がりに影響しNV中心の電荷状態を変えた。ところで,水素或いは酸素によるダイヤモンド表面の終端は光透過性を妨害しないことから,NV中心の光学的な制御や読み出しを妨げない。

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *窒素 ,  *空格子点 ,  *表面 ,  *ゲート【半導体】 ,  電荷 ,  端部 ,  共焦点顕微鏡 ,  発光スペクトル ,  *電圧 ,  *制御 ,  性質 ,  量子情報
準シソーラス用語： *NV中心 ,  *ゲート電圧 ,  酸素終端 ,  水素終端 ,  透過性

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 透過性 ,  ゲート ,  ダイヤモンド ,  窒素 ,  空孔