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J-GLOBAL ID:201402247327598691   整理番号:14A1049504

通信波長領域を超えたシリコン系光集積

Silicon-Based Photonic Integration Beyond the Telecommunication Wavelength Range
著者 (32件):
資料名:
巻: 20  号:ページ: 8201511,1-11  発行年: 2014年07月 
JST資料番号: W0734A  ISSN: 1077-260X  CODEN: IJSQEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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通信波長域を超えた短波赤外及び中赤外領域での応用のためのケイ素系光集積導波路技術の現状を展望した。具体的には,中赤外で動作する集積ミリメートルスケール分光器の開発,及び機能性増大のためのSi導波路プラットフォーム上の他の材料(III-V半導体,IV-VIコロイド量子ドット,GeSn合金)の集積について述べた。中赤外分光器はシリコン上ゲルマニウム導波路を用いたアレイ導波路格子により実現された。他の材料を集積したSOI(絶縁体上シリコン)導波路は,中赤外域のレーザ光発生や光検出の機能を持つのみならず,二光子吸収のないSiの強い非線形性を活用した新しい機能を生み出した。その例として,ピコ秒パルスによるスーパーコンティニウム発生,光パラメトリック発振器,四光波混合による波長変換を示した。
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分類 (4件):
分類
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光集積回路,集積光学  ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  ,  半導体レーザ  ,  非線形光学 
タイトルに関連する用語 (3件):
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