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J-GLOBAL ID：201402247771725578   整理番号：14A0182726

溶液処理可能で高移動度,高耐熱性のV字形状有機半導体

V-Shaped Organic Semiconductor With Solution Processability, High Mobility, and High Thermal Durability

著者 (12件)： OKAMOTO Toshihiro ,  MITSUI Chikahiko (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  YAMAGISHI Masakazu (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  NAKAHARA Katsumasa ,  SOEDA Junshi ,  HIROSE Yuri (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  MIWA Kazumoto (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  SATO Hiroyasu (Rigaku Corp., Tokyo, JPN) ,  YAMANO Akihito (Rigaku Corp., Tokyo, JPN) ,  MATSUSHITA Takeshi (JNC Petrochemical Corp., Chiba, JPN) ,  UEMURA Takafumi (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  TAKEYA Jun
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 25  号： 44  ページ： 6392-6397  発行年： 2013年11月26日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2-メトキシナフタレンを前駆体としてNewman-Kwart転位反応により一連のV字形状をもつ置換ジナフト[2,3-b:2′,3′-d]チオフェンを合成した。単結晶についてX線回折により結晶構造を決定した。熱重量分析により500°Cまで熱安定性を確かめた。サイクリックボルタンメトリーによりHOMOエネルギー準位を求めた。有機溶媒に対する溶解性に優れ,ポリカーボネートまたはケイ素基板上にスピンコーティングによる薄膜作製が可能であった。示差走査熱量測定により相転移を調べた。蒸着法および溶液法単結晶化によりFETを作製し,電流電圧特性を測定した。溶液法が高いキャリア移動度を与え,ジヘキシル誘導体で最高9.5cm²/Vsを示した。

シソーラス用語： *硫黄複素環化合物 ,  *芳香族縮合化合物 ,  *有機半導体 ,  *移動度 ,  *耐熱性 ,  転位反応 ,  化学合成 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  熱重量分析 ,  熱安定性 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  HOMO ,  エネルギー準位 ,  スピンコーティング ,  示差走査熱量測定 ,  相転移 ,  蒸着膜 ,  FET【トランジスタ】 ,  電流電圧特性 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： *ジナフトチオフェン誘導体 ,  チオフェン誘導体

分類 (4件)： チオフェンの縮合誘導体  (CF07075U) ,  複素環式化合物の結晶構造  (BK08030Q) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (4件)： ジナフト[2,3-b:2′,3′-d]チオフェン ,  2,10-ジデシルジナフト[2,3-b:2′,3′-d]チオフェン ,  3,9-ジヘキシルジナフト[2,3-b:2′,3′-d]チオフェン ,  3,9-ジデシルジナフト[2,3-b:2′,3′-d]チオフェン

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液処理 ,  高移動度 ,  高耐熱性 ,  V字形状 ,  有機半導体