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J-GLOBAL ID：201402248207915380   整理番号：14A0567133

GaNオンSiC HEMTsを使用した高周波PWM降圧形コンバータ

High-Frequency PWM Buck Converters Using GaN-on-SiC HEMTs

著者 (3件)： RODRIGUEZ Miguel (Univ. Colorado at Boulder, CO, USA) ,  ZHANG Yuanzhe (Univ. Colorado at Boulder, CO, USA) ,  MAKSIMOVIC Dragan (Univ. Colorado at Boulder, CO, USA)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 29  号： 5  ページ： 2462-2473  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNオンSiC HEMTsは,低から中電圧(<50V)と電力レベル(<100W)での動作を行うことができるため,パルス幅変調(PWM)スイッチングコンバータへの適用が期待できる。本稿では,GaNオンSiC HEMTsによる高周波PWM降圧形コンバータの検討を行った。40V入力電圧で10W以上の出力を与えるPWM降圧形コンバータを設計,製作した。その結果,10MHzで動作させたとき,効率95%以上で40V電源で10W以上の出力が得られた。また,スイッチング周波数40MHzまで90%以上の効率が得られた。このコンバータを使った結果,3MHz帯域幅通信エンベロープ信号を92%の高率で正確に追跡できた。

シソーラス用語： *HEMT ,  炭化ケイ素 ,  PWM【信号】 ,  *DC-DCコンバータ ,  スイッチング ,  効率 ,  変換 ,  周波数 ,  *窒化ガリウム ,  変換効率
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  SiC ,  スイッチングコンバータ ,  スイッチング周波数 ,  パルス幅変調 ,  *降圧形コンバータ

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  SiC ,  高周波 ,  PWM ,  降圧形コンバータ