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J-GLOBAL ID：201402248363764448   整理番号：14A1302843

アンジュレータ放射によるシリカベース膜表面における2つの改質層

Two Modified Layers in the surface of Silica-Based Films by Undurator Radiation

著者 (4件)： MORIWAKI K. (Kobe Univ.) ,  UMEJI H. (Kobe Univ.) ,  KANDA K. (Univ. Hyogo) ,  MATSUI S. (Univ. Hyogo)
資料名： LASTI Annual Report  (LASTI Annual Report)
巻： 15  ページ： 47-48  発行年： 2014年08月 
JST資料番号： L4711A  ISSN： 2189-6909  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NewSUBARUでのアンジュレータ放射(UR)を用いて光導波路デバイス用のシリカベース膜表面を改質した。用いた試料はSi基板上に熱的に成長させたSiO₂,または純粋の合成シリカガラスである。20~110eV範囲の第1ピークエネルギーを使ってUR照射した試料において表面の薄い層と内部層での改質は異なっていることが分かった。表面から厚さが5nm以下の薄い層は両試料とも強く還元されていた。表面還元層のエッチング前後での屈折率測定から,強く還元した薄い表面層ではより大きな屈折率変化(10^-2~10^-1)が起こり,内部層では小さな屈折率変化(10^-2)が生じていることを示した。

シソーラス用語： *シンクロトロン放射 ,  *表面改質 ,  二酸化ケイ素 ,  *石英ガラス ,  *屈折率 ,  X線照射 ,  X線光電子スペクトル ,  アンジュレータ放射
準シソーラス用語： シリカガラス

分類 (1件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (3件)： アンジュレータ放射 ,  シリカ ,  改質