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J-GLOBAL ID:201402248388317365   整理番号:14A0236123

NH3ガスの低レベル検出のための金属クラスター活性SnO2薄膜

Metal clusters activated SnO2 thin film for low level detection of NH3 gas
著者 (6件):
資料名:
巻: 194  ページ: 410-418  発行年: 2014年04月 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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金属クラスター(MCs)により修飾されたSnO2薄膜に基づくNH3ガスセンサーの製造について報告した。すべてのMCs(Pt,Pd,Cr,Au,CuとIn)の中でSnO2の薄膜上の厚さ~8nmと200μmの直径のPtMCsは積算により,230°Cの操作温度で450ppmのNH3に向けて早い応答時間(~1秒)と高いセンサー応答(~25.7)を示す。PtMCsはNH3ガス分子のスピルオーバ機構を活性化し,しかも,露出したSnO2表面とその相互作用を増加させている。SnO2の薄膜の構造と表面のモルフォロジーは研究され,センサーの程度の高い応答挙動と高度のナノポーラス活性センサー元素の間の相関が識別される。センサー操作も試験され,アンモニアに対してアセトン,LPG,メタン,TCE,NOx,IPA,クロロホルム,CO2を越える良好な選択性を示すことが分かった。Pt/SnO2センサーは繰り返しサイクルで試験され,応答センサーの重要な劣化は見出されず,しかもセンサーは長時間のスパンに対して完全に可逆操作である事も分かった。簡単で低価格のセンサー構造はNH3のセンサーの実用化に対して有望である。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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分析機器  ,  塩基,金属酸化物 
物質索引 (5件):
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