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J-GLOBAL ID：201402248401783540   整理番号：13A1958672

ピコ秒及びフェムト秒レーザによる薄膜太陽電池の罫書き

Scribing of Thin-Film Solar Cells with Picosecond and Femtosecond Lasers

著者 (6件)： GECYS Paulius (Center for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  RACIUKAITIS Gediminas (Center for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  WEHRMANN Anja (Leibniz-Inst. of Surface Modification, Leipzig, DEU) ,  ZIMMER Klaus (Leibniz-Inst. of Surface Modification, Leipzig, DEU) ,  BRAUN Alexander (Solarion AG, Leipzig, DEU) ,  RAGNOW Steffen (Solarion AG, Leipzig, DEU)
資料名： Journal of Laser Micro/Nanoengineering (Web)  (Journal of Laser Micro/Nanoengineering (Web))
巻： 7  号： 1  ページ： 33-37 (WEB ONLY)  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： U0377A  ISSN： 1880-0688  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜太陽電池の拡大とともに,基板上の薄膜の大規模パターニング技術の開発が促され,レーザによる罫書きが有望である。本報では,ピコ秒及びフェムト秒レーザ罫書きを比較する。そのため,パルス幅10psのNd:YVO₄モードロックレーザと,パルス幅300fsのTi:サファイアレーザを用いた。レーザ罫書きのいわゆるP3ステップに着目し,Mo裏面電極に照射した。見かけ品質を光学及び走査電子顕微鏡で制御した。組立工程前のレーザ罫書き完了セルについて,変換効率試験,ロックインサーモグラフ(LIT)及びレーザビーム誘起電流(LBIC)測定を行った。複合薄膜構造で,両パルス幅で,Mo層の無損傷照射が可能だった。LIT及びLBIC測定によれば,レーザ罫書き域付近に内部短絡の形成は確証されない。効率試験では,フェムト秒レーザ罫書き後に,僅かに高い太陽電池性能が見られた。しかし,太陽電池効率の限界的低下が両パルス幅で見られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  セレン化物 ,  銅化合物 ,  罫書き ,  *レーザ加工 ,  パルスレーザ照射 ,  ピコ秒 ,  フェムト秒 ,  電極 ,  エネルギー変換効率 ,  *照射損傷 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： CIGS ,  レーザ罫書き ,  薄膜太陽電池 ,  裏面電極

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  レーザの応用  (BD04100V)

引用文献 (13件)：

• T. Cheyney: Photovoltaics International, 1, (2008) 86.
• J. Kho: Photovoltaics World, 6, (2010) 24.
• A. D. Compaan, I. Matulionis, S. Nakade: Optics and Lasers in Engineering, 34(1), (2000) 15.
• J. Hermann M. Benfarah, S. Bruneau., E. Axente, G. Coustillier., T. Itina, J.-F. Guillemoles, P. Alloncle: Journal of Physics D: Applied Physics, 39(3), (2006) 453.
• J. Hermann, M. Benfarah, G. Coustillier, S. Bruneau, E. Axente, J.-F. Guillemoles, M. Sentis, P. Alloncle, T. Itina: Applied Surface Science, 252(13), (2006) 4814.

タイトルに関連する用語 (4件)： ピコ秒 ,  フェムト秒レーザ ,  薄膜太陽電池 ,  罫書き