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J-GLOBAL ID：201402250233992702   整理番号：14A1021611

ワイヤ擦過援用ウェットエッチングによるシリコンの高アスペクト比溝形成(シリコンインゴットの切断に向けた基礎的検討)

High aspect ratio grooving of Si using a wet etching assisted by wire-friction (A feasibility study for the applicaiotn for slicing Si ingots)

著者 (4件)： 村田順二 (立命館大) ,  土田剛史 (立命館大 大学院) ,  谷泰弘 (立命館大) ,  ZHANG Yu (立命館大)
資料名： 日本機械学会論文集(Web)  (Bulletin of the JSME (Web))
巻： 80  号： 815  ページ： SMM0183 (WEB ONLY)  発行年： 2014年 
JST資料番号： U0182B  ISSN： 2187-9761  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 太陽電池用シリコンの新しい切断技術として砥粒を用いない化学的な加工方法を開発した。本加工法は薬液中でシリコンをワイヤで擦過することによりスライシングを行う。本研究ではシリコンの切断特性を評価した。その結果エッチャントの組成を最適化することで約100μmの低溝幅による加工が行えた。SEMによる観察では,スライス面にクラックや加工痕の無い加工が行えている事が確認された。またラマン分光法によるスライス面品質の評価では,アモルファス層が形成されていないことが分かった。スライス面の粗さはエッチャントに酢酸を加えることで低減された。(著者抄録)

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *ケイ素 ,  砥粒 ,  薬液注入 ,  金属線 ,  切削 ,  亀裂 ,  エッチング液 ,  表面粗さ ,  脂肪酸 ,  *溝加工 ,  *エッチング ,  インゴット

分類 (1件)： その他の切削  (QC02040C)

タイトルに関連する用語 (8件)： ワイヤ ,  援用 ,  ウェットエッチング ,  シリコン ,  高アスペクト比 ,  溝形成 ,  インゴット ,  基礎的検討