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J-GLOBAL ID：201402251491127761   整理番号：14A0804511

LiMn₂O₄薄膜の生成条件の最適化

Optimization of the preparation condition of LiMn₂O₄ film

著者 (3件)： 早川由洋 (静岡大) ,  以西雅章 (静岡大) ,  冨田靖正 (静岡大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 58(SDM2014 16-42)  ページ： 27-32  発行年： 2014年05月21日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： RFマグネトロンスパッタリング法により,Li二次電池正極用のLiMn₂O₄薄膜を生成している。本研究では,生成条件を変数として薄膜を生成し,膜厚測定,X線回折による生成物質の同定を行い,生成条件による薄膜の変化を評価した。その結果,RF電力を150W,堆積時間を3時間,Ar:O₂=4:0.4のときが最も組成のずれが小さい事が分かった。また,代表的な条件で充放電特性を測定した結果,約65mAh/gの放電容量が得られ,リチウム二次電池の正極として機能していることが分かった。(著者抄録)

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  薄膜 ,  *薄膜成長 ,  *リチウム二次電池 ,  X線回折 ,  電気特性 ,  電池容量 ,  カソード ,  最適化 ,  充放電特性 ,  放電容量 ,  改変
準シソーラス用語： *RFマグネトロンスパッタリング ,  LiMn₂O₄薄膜 ,  *Li二次電池 ,  正極【電池系】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  二次電池  (YB04030K)

引用文献 (33件)：

• Desilvestro and O. Haas, J.Electrochem.Soc.137, 5C (1990).
• R. Koksbang, J. Barker, H. Shi, and M. Y. Saidi, Solid State Ionics 84, 1 (1996).
• M. M. Thackeray, A de Kock, M. H. Rossouw, D. Liles, R. Bittihn, and D. Hoge, J.Electrochem.Soc.139, 363 (1992).
• R. J. Gummow, A de Kock, and M. M. Thackeray, Solid State Ionics, 69, 59 (1994).
• J. C. Hunter, J. Solid State. Chem.39, 142 (1981).

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜 ,  最適化