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J-GLOBAL ID：201402251847597164   整理番号：14A0884814

それぞれ約1.3と1.6の性能係数に達するpとnタイプスクッテルダイトのナノ構造化

Nanostructuring of p- and n-type skutterudites reaching figures of merit of approximately 1.3 and 1.6, respectively

著者 (15件)： ROGL G. (Inst. of Physical Chemistry, Univ. of Vienna, Waehringerstrasse 42, A-1090 Wien, AUT) ,  ROGL G. (Inst. of Solid State Physics, Vienna Univ. of Technol., Wiedner Hauptstrasse 8-10, A-1040 Wien, AUT) ,  ROGL G. (Res. Group Physics of Nanostructured Materials, Univ. of Vienna, Boltzmanngasse 5, A-1090 Wien, AUT) ,  ROGL G. (Christian Doppler Lab. for Thermoelectricity, AUT) ,  GRYTSIV A. (Inst. of Physical Chemistry, Univ. of Vienna, Waehringerstrasse 42, A-1090 Wien, AUT) ,  GRYTSIV A. (Inst. of Solid State Physics, Vienna Univ. of Technol., Wiedner Hauptstrasse 8-10, A-1040 Wien, AUT) ,  GRYTSIV A. (Christian Doppler Lab. for Thermoelectricity, AUT) ,  ROGL P. (Inst. of Physical Chemistry, Univ. of Vienna, Waehringerstrasse 42, A-1090 Wien, AUT) ,  ROGL P. (Christian Doppler Lab. for Thermoelectricity, AUT) ,  BAUER E. (Inst. of Solid State Physics, Vienna Univ. of Technol., Wiedner Hauptstrasse 8-10, A-1040 Wien, AUT) ,  BAUER E. (Christian Doppler Lab. for Thermoelectricity, AUT) ,  HOCHENHOFER M. (Treibacher Ind. AG, Res. and Dev., A-9330 Althofen, AUT) ,  ANBALAGAN R. (Thermoelectric Materials and Devices Lab., Dep. of Physics, Indian Inst. of Sci., Bangalore 560 012, IND) ,  MALLIK R.c. (Thermoelectric Materials and Devices Lab., Dep. of Physics, Indian Inst. of Sci., Bangalore 560 012, IND) ,  SCHAFLER E. (Res. Group Physics of Nanostructured Materials, Univ. of Vienna, Boltzmanngasse 5, A-1090 Wien, AUT)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 76  ページ： 434-448  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 廃熱の有用な電気への熱電(TE)変換は,広い温度範囲にわたるレッグ材料における最適化熱および電気的輸送を要求する。高熱・電気変換効率はもちろん,適度に高い性能係数(ZT)を得るために,出発材料のさまざまな状態を調べた。pタイプDD_y(Fe_1-xCo_x)₄Sb₁₂(DD:ジジム)およびnタイプ(Mm,Sm)_yCo₄Sb₁₂(Mm:ミッシュメタル)の工業的に製造しているスクッテルダイト粉末を用いた。かなり速い反応-溶解技術後,バルクを砕いて,個々のメッシュサイズ未満の粒子を得るために様々なストレーナでふるいにかけ,三種類の条件下でボールミリングを続けた。ミクロ/ナノサイズの粒子,結晶粒および晶子へのTE特性(ホットプレス後)の依存性を調べた。最適条件はバルク材料の現在の最高値へのZTの増加すなわち,pタイプでは775KでZT~1.1からZT~1.3へ,そしてnタイプでは800KでZT~1.0からZT~1.6へ増加させ,η>13%とη~16%の個々の効率(300~850K)をもたらした。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 性能指数 ,  硫化鉱物 ,  結晶 ,  熱電気変換 ,  *鉄化合物 ,  *コバルト化合物 ,  摩砕 ,  結晶粒 ,  ホットプレス ,  最適条件 ,  粉体 ,  ナノ粒子 ,  *アンチモン化物 ,  *サマリウム化合物 ,  ミッシュメタル ,  *熱電材料 ,  ナノ構造 ,  結晶粒度 ,  硬度 ,  特性 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  ナノ材料
準シソーラス用語： スクッテルダイト ,  *スクッテルダイト型結晶 ,  ナノ構造材料 ,  ボールミリング ,  輸送特性

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 性能係数 ,  タイプ ,  スクッテルダイト ,  ナノ構造