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J-GLOBAL ID：201402252403588874   整理番号：14A0409780

トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃における光電子スピン分極の制御

Photoelectron Spin-Polarization Control in the Topological Insulator Bi₂Se₃

著者 (12件)： ZHU Z.-H. (Univ. British Columbia, British Columbia, CAN) ,  VEENSTRA C.N. (Univ. British Columbia, British Columbia, CAN) ,  ZHDANOVICH S. (Univ. British Columbia, British Columbia, CAN) ,  SCHNEIDER M.P. (Univ. British Columbia, British Columbia, CAN) ,  OKUDA T. (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  MIYAMOTO K. (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  ZHU S.-Y. (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  NAMATAME H. (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  TANIGUCHI M. (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  HAVERKORT M.W. (Max Planck Inst. Chemical Physics of Solids, Dresden, DEU) ,  ELFIMOV I.S. (Univ. British Columbia, British Columbia, CAN) ,  DAMASCELLI A. (Univ. British Columbia, British Columbia, CAN)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 112  号： 7  ページ： 076802.1-076802.5  発行年： 2014年02月21日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *絶縁材料 ,  *セレン化物 ,  *ビスマス化合物 ,  光電子 ,  スピン分極 ,  制御 ,  *角度分解分光法 ,  *光電子分光法 ,  偏光 ,  密度汎関数法 ,  層 ,  選択則 ,  *表面構造 ,  スピン-軌道相互作用 ,  *絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  *ARPES ,  *セレン化ビスマス ,  *トポロジカル表面状態 ,  二原子層 ,  *構造
準シソーラス用語： 光学選択則

分類 (2件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (2件)： トポロジカル絶縁体 ,  電子スピン分極