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J-GLOBAL ID：201402254223795793   整理番号：14A0173175

柔軟性基板上の平坦なポリ(アクリル酸)ゲート有機電界効果トランジスタ

Plain Poly(acrylic acid) Gated Organic Field-Effect Transistors on a Flexible Substrate

著者 (6件)： DUMITRU Liviu M. (“Aldo Moro” Univ., Bari, ITA) ,  MANOLI Kyriaki (“Aldo Moro” Univ., Bari, ITA) ,  MAGLIULO Maria (“Aldo Moro” Univ., Bari, ITA) ,  SABBATINI Luigia (“Aldo Moro” Univ., Bari, ITA) ,  PALAZZO Gerardo (“Aldo Moro” Univ., Bari, ITA) ,  TORSI Luisa (“Aldo Moro” Univ., Bari, ITA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 5  号： 21  ページ： 10819-10823  発行年： 2013年11月13日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機電界効果トランジスタ(OFET)は,低コスト,大面積,柔軟性応用に用いられる可能性があるため,ここ数年広範囲に研究されてきた。軽量で機械的に柔軟で簡単なステップで作製できる電子デバイスが必要とされる分野では,柔軟性基板上に作製されるOFETが,実際,伝統的な”堅い”シリコン系エレクトロニクスに取って替わるデバイスである。ポリ[2,5-ビス(3-テトラデシルチオフェン-2-yl)チエノ[3,2-b]チオフェン]系OFETのゲートとしてポリ(アクリル酸)のポリアニオン性プロトン伝導体の使用について報告する。OFETの平坦形状を評価し,柔軟性基板上の電気性能および実装を議論する。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  *ポリアクリル酸 ,  柔軟性 ,  ゲート【半導体】 ,  プロトン伝導 ,  導体 ,  分子構造 ,  素子構造 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： プロトン伝導体 ,  有機電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： アクリル酸 ,  ゲート ,  有機電界効果トランジスタ