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J-GLOBAL ID：201402254647336853   整理番号：14A1315551

SiC(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)上のグラフェンの成長への挑戦 基板効果と水素エッチングと成長雰囲気

Challenges to graphene growth on SiC(000 1): Substrate effects, hydrogen etching and growth ambient

著者 (17件)： ROBINSON Zachary R. (U.S. Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave., SW, Washington, DC 20375, USA) ,  JERNIGAN Glenn G. (U.S. Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave., SW, Washington, DC 20375, USA) ,  CURRIE Marc (U.S. Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave., SW, Washington, DC 20375, USA) ,  HITE Jennifer K. (U.S. Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave., SW, Washington, DC 20375, USA) ,  BUSSMANN Konrad M. (U.S. Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave., SW, Washington, DC 20375, USA) ,  NYAKITI Luke O. (U.S. Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave., SW, Washington, DC 20375, USA) ,  NYAKITI Luke O. (Dep. of Marine Engineering/Material Sci. and Engineering, Texas A&M, Coll. Station, TX 77843, USA) ,  GARCES Nelson Y. (U.S. Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave., SW, Washington, DC 20375, USA) ,  GARCES Nelson Y. (Sotera Defense Solutions, 2200 Defense Hwy Suite 405 Crofton, MD 21114, USA) ,  NATH Anindya (George Mason Univ., 4400 Univ. Drive, Fairfax, VA 22030, USA) ,  RAO Mulpuri V. (George Mason Univ., 4400 Univ. Drive, Fairfax, VA 22030, USA) ,  WHEELER Virginia D. (U.S. Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave., SW, Washington, DC 20375, USA) ,  MYERS-WARD Rachael L. (U.S. Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave., SW, Washington, DC 20375, USA) ,  WOLLMERSHAUSER James A. (U.S. Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave., SW, Washington, DC 20375, USA) ,  FEIGELSON Boris N. (U.S. Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave., SW, Washington, DC 20375, USA) ,  EDDY Charles R. (U.S. Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave., SW, Washington, DC 20375, USA) ,  GASKILL D. Kurt (U.S. Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave., SW, Washington, DC 20375, USA)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 81  ページ： 73-82  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCのC-表面でのグラフェンの均一性と形態の制御はSi-表面上より難しい。C-表面でのグラフェン成長を改良するために,H₂の熱処理によるその場表面調製とその後のAr媒介成長を含む通常の管式炉での連続成長プロセスを開発した。基板欠陥の影響を減少させるために,最適なC-表面のH₂エッチング条件を開発した。しかし,得られたグラフェン膜はSiC基板と界面酸化物中の本質的バルク欠陥のため不均一な厚みを持っていた。ポリタイプなどの基板性質の違いは,成長に有意な影響を持っており,4H基板が6H基板より速い面内のグラフェンの成長を示した。界面酸化物の超高真空脱着は,グラフェンを単一の優先的回転配向に再配向させて,成長室内の微量の酸素不純物がSiCのC-表面上でのグラフェンの成長で重要な役割をし得ることを示した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭素材 ,  *炭化ケイ素 ,  結晶面 ,  前処理 ,  水素 ,  エッチング ,  プロセスパラメータ ,  酸化物 ,  表面性状 ,  製品品質 ,  基板 ,  *結晶成長 ,  薄膜成長 ,  *グラフェン

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  反応操作(単位反応)  (XE01040I)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  グラフェン ,  成長 ,  基板効果 ,  水素 ,  エッチング ,  雰囲気