文献
J-GLOBAL ID:201402255030031873   整理番号:14A0689886

Si基板上の高度に(111)配向したLBCO薄膜の成長と物理的性質

Growth and physical properties of highly (111) oriented LBCO thin films on Si substrates
著者 (7件):
資料名:
巻: 2013 Vol.4  ページ: 2648-2655  発行年: 2013年 
JST資料番号: E0697C  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
非晶質SiO2緩衝層を用い,化学溶液堆積のうち,用いる化学溶液,すなわちランタン前駆体溶液としてEDTA,ポリエチレンイミン,硝酸ランタンを含む水溶液,またBa2+及びCo2+前駆体溶液としてもほぼ同様の各金属イオンを含む高分子支援堆積法(PAD)で(100)Si基板上に(111)方位の(LaBa)Co2O5+δ(LBCO)単結晶薄膜を形成することに成功した。微視組織をXRDで評価したところ,LBCO膜は単相の擬立方晶ペロブスカイト構造であることを示した。表面形態は,薄膜が不均一分布した粗大結晶粒で,幾らかの窪みを有していた。試料中の電子と酸素の輸送特性は膜抵抗の温度依存性を示し,LBCO膜が典型的な半導体的性質を持つことを示した。ガスが空気から100%O2及びN2中6%H2に切り替わるにつれて膜抵抗の劇的変化が起こり,膜が優れた酸素感受性と異常な高速表面変換速度を有することが判明した。このことは,この材料が高感度ガスセンサーと部分酸化反応装置として新たに利用できることを示している。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜 
物質索引 (1件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです

前のページに戻る