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J-GLOBAL ID：201402255619432070   整理番号：14A0363458

フッ化物を含む(NH₄)₂SO₄溶液を使ったGaAsハニカム構造の電気化学的形成

Electrochemical formation of GaAs honeycomb structure using a fluoride-containing (NH₄)₂SO₄ solution

著者 (3件)： MORISHITA Yoshitaka ,  YAMAMOTO Hitoshi ,  YOKOBORI Kuniyuki
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 556  ページ： 333-336  発行年： 2014年04月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いろいろなフッ化物濃度の(NH₄)₂SO₄電解質でGaAs基板を陽極処理した。走査型電子顕微鏡(SEM)観察が少量のHF濃度の(NH₄)₂SO₄電解質で陽極処理した基板上で高度に規則的なハニカム陥凹が形成されることを示した。陥凹の規則性は,HF濃度の増加で減少した。陥凹の平均直径は,陽極処理電圧を増やすことで増加した。陥凹直径の規則性は陽極処理電圧にかかわりなく陽極処理時間を増すと増加した。断面SEM画像が規則的陥凹の平均の深さがおよそ5nmであることを示した。およそ870nmのピーク波長の,GaAsの基本吸着領域でのピークに加えて0.5mlのHF濃度の(NH₄)₂SO₄電解質で陽極処理した試料の光ルミネセンス・スペクトルはおよそ610,635,670と720nmで,いくつかのピークを示した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アンモニウム化合物 ,  *硫化物 ,  フッ素 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ハニカム構造 ,  電気化学 ,  走査電子顕微鏡 ,  アノード ,  処理 ,  時間 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： 硫化アンモニウム

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： フッ化物 ,  溶液 ,  GaAs ,  ハニカム構造 ,  電気化学