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J-GLOBAL ID：201402255834976307   整理番号：14A1206744

RFスパッタしたZrドープMgTiO₃ナノ結晶薄膜の構造的,光学的,誘電的,電気的研究

Structural, optical, dielectric and electrical studies on RF sputtered nanocrystalline Zr doped MgTiO₃ thin films

著者 (4件)： GOGOI Pallabi (Dep. of Physics, Indian Inst. of Technol. Guwahati, Guwahati 781039, IND) ,  SANTHOSH KUMAR T. (Dep. of Physics, Indian Inst. of Technol. Guwahati, Guwahati 781039, IND) ,  SHARMA Pramod (Inst. of Plasma Res. Gandhinagar, Gujarat 382428, IND) ,  PAMU D. (Dep. of Physics, Indian Inst. of Technol. Guwahati, Guwahati 781039, IND)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 619  ページ： 527-537  発行年： 2015年01月15日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mg(Zr_0.05Ti_0.95)O₃(MZT)薄膜を非晶質SiO₂と白金めっきケイ素の基板(Pt/TiO₂/SiO₂/Si)上に異なる酸素混合%(OMP)でのRFマグネトロンスパッタリングにより堆積した。OMPと600°Cでのポストアニーリングが結晶化したMZT薄膜の結晶方位,表面形態,光学的,電気的,誘電的特性の及ぼす効果を調査した。OMPの0から100%への増加に伴う(104)から(110)への優先配向の変化を観察した。優先配向の成長は配向因子を計算することでLotgeringモデルに基づいて説明した。屈折率とバンドギャップのような光学的性質はO₂含有量の影響を強く受けた。また屈折率と充填密度はOMPの増加と共に減少し,それにより光学バンドギャップが4.19から4.52eVに増大することを観察した。薄膜の誘電率と誘電損失はそれぞれ5.0~15.69,0.082~0.0135の間にあった。100%OMPで堆積したMZT薄膜は高い誘電率と低い損失正接を示した。さらに,純粋酸素雰囲気で堆積したMZT薄膜では周波数に伴うDC電気伝導度はJonscher則に従い,活性化エネルギーは0.32eVであった。MZT薄膜のNyquistプロットは二つに半円弧を示し,等価回路モデルに基づいて説明された。二つの連続した平行RCの組合せが実験データと一致した。I-V特性は,OMPが0から100%に増加すると200kV/cmの電界強度での漏れ電流密度が1.136×10^-8から4.69×10^-9A/cm²に減少することを示した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： RFスパッタリング ,  *チタン酸塩 ,  マグネシウム化合物 ,  ジルコニウム化合物 ,  ドーピング ,  超薄膜 ,  非晶質 ,  白金めっき ,  ウエハ【IC】 ,  含有量 ,  酸素 ,  焼なまし ,  優先配向 ,  *屈折率 ,  光学ギャップ ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  電気伝導率 ,  Nyquist線図 ,  電流密度 ,  漏れ電流 ,  ナノ結晶 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  DC電気伝導度 ,  ケイ素基板 ,  チタン酸マグネシウム ,  ポストアニーリング ,  *酸化物薄膜 ,  酸素含有量 ,  非晶質シリカ ,  漏れ電流密度

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： RFスパッタ ,  Zr ,  ドープ ,  ナノ結晶薄膜 ,  光学 ,  研究