文献

J-GLOBAL ID：201402256130870852   整理番号：14A0706611

全インクジェット印刷型有機薄膜トランジスターにおける6,3-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン薄膜の結晶構造に対するボトム電極配置の効果

Influence of bottom electrode configuration on crystalline structures of 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene films for all-inkjet-printed organic thin film transistors

著者 (3件)： KANG Byung Ju (Hanyang Univ., Gyeonggi, KOR) ,  SHIN Kyoosik (Hanyang Univ., Gyeonggi, KOR) ,  OH Je Hoon (Hanyang Univ., Gyeonggi, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 5S3  ページ： 05HB09.1-05HB09.6  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,有機薄膜トランジスター(OTFT)における半導体層の結晶構造と電気的性能に対する,全インクジェット印刷型OTFTの電極配置の効果を研究した結果を報告する。2つの異なるタイプの全インクジェット印刷型OTFTを作製した。一つは新しいボトム-トップコンタクト配置,そして他の一つは通常のボトム-ボトムコンタクト配置である。OTFTにおける半導体層の結晶成長と電気的特性を評価し,2つの異なるボトム電極配置の間で比較した。結果として得られる半導体層の結晶構造は,半導体層の蒸発プロセスによって影響を受けることが分かった。不規則な蒸発により,従来のボトム-ボトムコンタクト配置を持つ半導体層では,ランダムに配向した結晶構造が生成される。しかし,新しいボトム-トップコンタクト配置では,制御されたコンタクト線の移動のために,整然とした結晶構造が得られることが分かった。整然とした結晶構造を持つOTFTの平均移動度は,ランダムに配向した結晶構造を持つ試料の移動度よりも11倍程度大きいことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *インクジェット印刷 ,  *薄膜トランジスタ ,  結晶構造 ,  *キャリア移動度 ,  *素子構造 ,  半導体薄膜 ,  電気特性 ,  比率
準シソーラス用語： *有機薄膜トランジスタ ,  ボトム-トップコンタクト構造 ,  ボトム-ボトムコンタクト構造 ,  トランスファー特性 ,  オンオフ比

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (29件)：

• N. Stutzmann, R. H. Friend, and H. Sirringhaus, Science 299, 1881 (2003).
• S. R. Forrest, Nature 428, 911 (2004).
• V. Subramanian, P. C. Chang, J. B. Lee, S. E. Molesa, and S. K. Volkman, IEEE Trans. Components Packag. 28, 742 (2005).
• A. Das, R. Dost, T. Richardson, M. Grell, J. J. Morrison, and M. L. Turner, Adv. Mater. 19, 4018 (2007).
• S. C. B. Mannsfeld, A. Sharei, S. Liu, M. E. Roberts, I. McCulloch, M.Heeney, and Z. Bao, Adv. Mater. 20, 4044 (2008).

タイトルに関連する用語 (8件)： インクジェット印刷 ,  有機薄膜トランジスター ,  ビス ,  ペンタセン ,  薄膜 ,  結晶構造 ,  ボトム ,  電極配置