文献

J-GLOBAL ID：201402256496634523   整理番号：14A0072121

p型酸化物半導体を用いた高感度および選択的ガスセンサー:概観

Highly sensitive and selective gas sensors using p-type oxide semiconductors: Overview

著者 (2件)： KIM Hyo-joong ,  LEE Jong-heun
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 192  ページ： 607-627  発行年： 2014年03月01日 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NiO,CuO,Cr₂O₃,Co₃O₄,およびMn₃O₄などのp型酸化物半導体を用いて調製された高性能ガスセンサーをレビューした。p型酸化物半導体上での酸素のイオン化吸着が,ホール-蓄積層(HALs)の形成を生じ,伝導が主に近-表面HALに沿って発生した。よって,未ドープp型酸化物半導体の化学抵抗変化は,n型酸化物半導体の電子-枯渇層で誘発されたものよりもより低かった。しかしながら,高感度および選択的p型酸化物-半導体-ベースガスセンサーは,異原子価ドーピングによりキャリア濃度を制御すること,あるいは酸化物あるいは貴金属触媒を用いたセンサー材料のドーピング/ローディングによる特殊なガスセンサーのセンシング反応を促進させることによって,設計することができた。異なる接触配置で作製されたp-およびn型酸化物半導体の間での接合が,ガスセンサーを設計するための新しい戦略を提供した。特有の表面反応性および酸素吸着をもつp-型酸化物半導体は,ガス選択性を増強する,センサー信号の湿度依存性を無視し得るレベルへ低下させる,および回復速度を改善するためにも有利であった。したがって,p型酸化物半導体は,高感度および選択的ガスセンサーを作成するためだけでなく,高性能ガスセンサーの開発を可能にする,ガスセンサー中で新たな機能を提供する貴重な添加物に対しても優れた材料であった。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *P型半導体 ,  *化合物半導体 ,  *ガスセンサ ,  酸化ニッケル ,  酸化銅 ,  酸化クロム ,  酸化コバルト ,  酸化マンガン ,  酸素 ,  イオン化 ,  N型半導体 ,  PN接合 ,  一酸化炭素 ,  アンモニア ,  水素 ,  硫化水素 ,  感度 ,  選択性 ,  脂肪族アルコール ,  脂肪族アミン ,  第三アミン ,  アルキルベンゼン ,  脂肪族アルデヒド
準シソーラス用語： 検出感度 ,  *酸化物半導体

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

物質索引 (4件)： エタノール ,  トリメチルアミン ,  トルエン ,  ホルムアルデヒド

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化物半導体 ,  高感度 ,  ガスセンサー