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J-GLOBAL ID:201402256733052615   整理番号:14A0049948

(LaAiO3)6(Sr2AlTaO6)7単結晶基板上におけるBaHfO3人工ピンを添加したSmBa2Cu3Oy薄膜の超伝導特性

著者 (4件):
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巻: 88th  ページ: 132  発行年: 2013年12月04日 
JST資料番号: G0564B  ISSN: 0919-5998  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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SmBa2Cu3Oy(SmBCO)超伝導薄膜の磁場中超伝導特性の向上手段として基板の選択やBaMO3(BMO:M=Zr,Sn,Hf)ナノロッドの導入などがある。REBa2Cu3Oy(REBCO)薄膜の臨界電流密度Jcは,REBCOの結晶配向性に依存するため,ミスフィットや基板の構造相転移などの影響を大きく受ける。そこで本研究では,高い配向性かつ磁場中で優れた超伝導特性を持つSmBCO薄膜の作製を行うために,基板には成膜後の降温時に構造相転移が発生しない(LaAlO3)6(Sr2AlTaO6)7(LSAT)(100)単結晶を使用し,BaHfO3(BHO)人工ピンの導入とその添加量の制御を行い,磁場中超伝導特性についての評価を行った。成膜方法には低温成膜法(LTG法)を用いた。今回作製したBHO-SmBCO薄膜は,pure-SmBCO薄膜よりも高いJcを得た。また,pure-SmBCO薄膜とBHO-SmBCO薄膜のab面方向に磁場を印加し,縦磁界効果についても検討する予定である。(著者抄録)
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分類 (1件):
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酸化物系超伝導体の物性 
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