抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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SmBa
2Cu
3O
y(SmBCO)超伝導薄膜の磁場中超伝導特性の向上手段として基板の選択やBaMO
3(BMO:M=Zr,Sn,Hf)ナノロッドの導入などがある。REBa
2Cu
3O
y(REBCO)薄膜の臨界電流密度J
cは,REBCOの結晶配向性に依存するため,ミスフィットや基板の構造相転移などの影響を大きく受ける。そこで本研究では,高い配向性かつ磁場中で優れた超伝導特性を持つSmBCO薄膜の作製を行うために,基板には成膜後の降温時に構造相転移が発生しない(LaAlO
3)
6(Sr
2AlTaO
6)
7(LSAT)(100)単結晶を使用し,BaHfO
3(BHO)人工ピンの導入とその添加量の制御を行い,磁場中超伝導特性についての評価を行った。成膜方法には低温成膜法(LTG法)を用いた。今回作製したBHO-SmBCO薄膜は,pure-SmBCO薄膜よりも高いJ
cを得た。また,pure-SmBCO薄膜とBHO-SmBCO薄膜のab面方向に磁場を印加し,縦磁界効果についても検討する予定である。(著者抄録)