Au/Cr<sub>2</sub>O3/FeCr/CeO<sub>2</sub>/Siキャパシタにおける磁気フィルタ効果を利用した注入電荷調節

YOKOTA Takeshi; ICHIKAWA Koji; MURATA Shotaro; GOMI Manabu

文献

J-GLOBAL ID：201402256849662917 整理番号：14A0226335

Au/Cr₂O3/FeCr/CeO₂/Siキャパシタにおける磁気フィルタ効果を利用した注入電荷調節

Injected Charge Modulation Using Magnetic Filtering Effect in Au/Cr₂O₃FeCr/CeO₂/Si Capacitor

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資料名：
巻： 11 ページ： 122-126 (J-STAGE) 発行年： 2013年
JST資料番号： U0016A ISSN： 1348-0391 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

絶縁体が,磁性材料から成る金属(Au)/絶縁体(Cr₂O3/FeCr/CeO₂)/半導体(Si)キャパシタのキャリア注入過程に対する外部磁場影響を調べた。電場印加により,SiからCeO₂層を通して伝播する電子は,FeCr層や,FeCr層周辺で生成する酸素欠乏層へ注入される。磁場印加時,本キャパシタのヒステリシス窓幅が増加した。磁場下のI-V曲線分析では,この増加はFeCr層の磁気状態に因ると思われることを明らかにした。(翻訳著者抄録)

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LCR部品 , 金属-絶縁体-半導体構造

引用文献 (18件)：

[1] N. Nur, S. Park, P. A. Sharma, J. S. Ahn, S. Guha, and S.-W. Cheong, Nature 429, 392 (2004).
[2] J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M, Wuttig, and R. Ramesh, Science 299, 1719 (2003).
[3] T. Lottermoser, T. Lonkai, U. Amann, D. Hohlwein, J. Ihringer, and M. Fiebig, Nature 430, 541 (2004).
[4] E. Kita, A. Tasaki, and K. Siratori, Jpn. J. Appl. Phys. 18, 1361 (1979).
[5] T. Yokota, T. Kuribayashi, M. Gomi, T. Shundo, and Y. Sakakibara, Adv. Mater. Res. 11-12, 133 (2006).

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