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J-GLOBAL ID:201402256849662917   整理番号:14A0226335

Au/Cr2O3/FeCr/CeO2/Siキャパシタにおける磁気フィルタ効果を利用した注入電荷調節

Injected Charge Modulation Using Magnetic Filtering Effect in Au/Cr2O3FeCr/CeO2/Si Capacitor
著者 (4件):
資料名:
巻: 11  ページ: 122-126 (J-STAGE)  発行年: 2013年 
JST資料番号: U0016A  ISSN: 1348-0391  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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絶縁体が,磁性材料から成る金属(Au)/絶縁体(Cr2O3/FeCr/CeO2)/半導体(Si)キャパシタのキャリア注入過程に対する外部磁場影響を調べた。電場印加により,SiからCeO2層を通して伝播する電子は,FeCr層や,FeCr層周辺で生成する酸素欠乏層へ注入される。磁場印加時,本キャパシタのヒステリシス窓幅が増加した。磁場下のI-V曲線分析では,この増加はFeCr層の磁気状態に因ると思われることを明らかにした。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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LCR部品  ,  金属-絶縁体-半導体構造 

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