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J-GLOBAL ID：201402257013609120   整理番号：14A1463543

PR及びPL法によるシリコン基板上に成長させた窒化ガリウムの光学的特性に対する歪の影響

The Effect of Strain on the Optical Properties of GaN Grown on Si Investigated by Photoreflectance and Photoluminescence

著者 (8件)： 元田雄大郎 (宮崎大) ,  鈴木章生 (宮崎大) ,  大堀大介 (宮崎大) ,  福山敦彦 (宮崎大) ,  本田善央 (名古屋大) ,  山口雅史 (名古屋大) ,  天野浩 (名古屋大) ,  碇哲雄 (宮崎大)
資料名： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
号： 42  ページ： 23-26 (WEB ONLY)  発行年： 2013年08月30日 
JST資料番号： U0521A  ISSN： 0540-4924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 表面に微細加工を施したSi基板上にGaNを成長させ,光学特性評価によってGaN膜内の歪緩和を確認した。8°off(001)Si基板をパターニングし異方性エッチングを施して,微細(111)傾斜面を形成した。微細加工したSi基板上に選択成長させて,GaN(1ー101)面を表面に形成できた。GaN膜は半極性面結晶となる。SEM観察では,表面にクラックは無かった。PR法から算出した遷移エネルギーは,varshiniの式から期待されるGaNのバンドギャップとほほ一致した。PLスペクトル解析から得た非ドープGaN膜とCドープGaN膜の励起子発光エネルギーは,文献値と一致した。以上から,(1ー101)GaN薄膜の表面近傍歪は十分緩和されていることが分かった。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *緩和現象 ,  基板 ,  ケイ素 ,  パターン形成 ,  エッチング ,  角度 ,  ヘテロエピタクシー ,  *微斜面 ,  走査電子顕微鏡 ,  バンドギャップ ,  *光ルミネセンス ,  ドーピング ,  炭素 ,  異方性 ,  *微細加工 ,  *フォトリフレクタンス
準シソーラス用語： *歪緩和 ,  オフ角 ,  SEM【顕微鏡】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (7件)： Pr ,  PL法 ,  シリコン基板 ,  成長 ,  窒化ガリウム ,  光学的特性 ,  歪