文献

J-GLOBAL ID：201402257194939399   整理番号：14A1463558

電子線照射したSi_0.75Ge_0.25/Siダイオードのラマン分光法によるひずみ解析

Stress Analysis of the Electron Irradiated Si_0.75Ge_0.25/Si Diode by Raman Spectroscopy

著者 (11件)： 中島敏之 (宮崎大) ,  中島敏之 (中央電子工業) ,  米岡将士 (熊本高専 技セ) ,  角田功 (熊本高専) ,  高倉健一郎 (熊本高専) ,  大山英典 (熊本高専) ,  中庸行 (堀場製作所) ,  SIMOEN Eddy (imec) ,  CLAEYS Cor (imec) ,  CLAEYS Cor (KULeuven) ,  吉野賢二 (宮崎大)
資料名： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
号： 42  ページ： 103-107 (WEB ONLY)  発行年： 2013年08月30日 
JST資料番号： U0521A  ISSN： 0540-4924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si基板上のSi_0.75Ge_0.25膜(140nm厚)に電子線を照射してときの内部ひずみの変化をラマン分光法を用いて調べた。Si_0.75Ge_0.25膜のサイズは3x3~100x100μm²である。電子線のエネルギーは2MeVであり,照射量を1x10¹⁵~1x10¹⁸e/cm²まで変化させた。ラマン分光の励起源は488nmアルゴンレーザーであり,侵入深さは150~200nmである。ラマンスペクトルのSi-Si結合・Si-Ge結合のピーク波数とGe添加量からひずみ率を算出した。電子線照射前後のラマンピークシフトは,Si基板内のSi-Si結合に関しては観測されなかった。BドープSi_0.75Ge_0.25層内については,電子線照射量が1x10¹⁵e/cm²および1x10¹⁶e/cm²のときはピークシフトがなかったが,1x10¹⁸e/cm²で高波数側へのシフトが観測された。これは,電子線照射よって圧縮ひずみが生じたことを示す。

シソーラス用語： *電子照射 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *固溶体 ,  半導体薄膜 ,  Ramanスペクトル ,  *歪 ,  歪率 ,  *照射損傷
準シソーラス用語： *内部歪 ,  圧縮歪

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子線照射 ,  Si ,  ダイオード ,  ラマン分光法 ,  ひずみ解析