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J-GLOBAL ID：201402257848703446   整理番号：14A0567131

電力変換器アプリケーション用の600V GaN HEMTとGaNダイオードの検討

Investigations of 600-V GaN HEMT and GaN Diode for Power Converter Applications

著者 (6件)： MITOVA Radoslava (Schneider Electric, Strategy and Innovation, Grenoble, FRA) ,  GHOSH Rajesh (Schneider Electric, Bangalore, IND) ,  MHASKAR Uday (Schneider Electric, Bangalore, IND) ,  KLIKIC Damir (Schneider Electric, MA, USA) ,  WANG Miao-Xin (Schneider Electric, Strategy and Innovation, Grenoble, FRA) ,  DENTELLA Alain (Schneider Electric, Strategy and Innovation, Grenoble, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 29  号： 5  ページ： 2441-2452  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCやGaNのようなワイドバンドギャップ材料は,半導体材料としてSiに比べて大きな利点があり,開発が進んでいる。SiCデバイスはGaNデバイスに比べて開発が進んでいるが,コストが高いことが大きな課題である。これに対して,GaNは近い将来Siにコスト的に近づくことが期待されている。本稿では,600V GaN HEMTとGaNダイオードの検討を行った。昇圧,降圧形コンバータ,ハーフブリッジインバータへの適用について実験し,実験結果を示した。検討の結果,大きな特性向上が期待され,オンラインUPSでは25%のコスト低減が見込めることを示した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  ダイオード ,  無停電電源 ,  原価低減 ,  DC-DCコンバータ ,  ブリッジ回路 ,  インバータ ,  化合物半導体 ,  *バンドギャップ ,  *HEMT
準シソーラス用語： GaN ,  UPS【電源装置】 ,  コスト低減 ,  ハーフブリッジ ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  降圧形コンバータ ,  昇圧コンバータ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電力変換器 ,  アプリケーション ,  GaN ,  HEMT ,  ダイオード