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J-GLOBAL ID：201402258177463751   整理番号：14A1341052

Si基板上3C-SiC薄膜へのイオンビーム照射を用いたグラフェン成長に関する研究

著者 (7件)： 石井純子 (九州工大) ,  坪井直也 (九州工大) ,  早久和希 (九州工大) ,  岡野資睦 (九州工大 工) ,  碇智徳 (宇部工高専) ,  中尾基 (九州工大 工) ,  内藤正路 (九州工大)
資料名： 表面科学学術講演会講演要旨集  (表面科学学術講演会要旨集)
巻： 34th  ページ： 26  発行年： 2014年11月06日 
JST資料番号： L1366A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *イオン照射 ,  *炭素材 ,  炭化ケイ素 ,  *薄膜 ,  *グラフェン ,  3C-炭化ケイ素
準シソーラス用語： 3C-SiC ,  イオンビーム照射

分類 (2件)： イオンとの相互作用  (BK16070Z) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si基板 ,  3C-SiC ,  薄膜 ,  イオンビーム照射 ,  グラフェン ,  成長 ,  研究