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J-GLOBAL ID：201402258276455574   整理番号：14A0540532

単一電子トランジスタにおける,ナノチューブと酸化層を用いたアイランド領域のモデリングと解析

Modelling and Analysis of Island region in Single Electron Transistor with Nanotube and Oxide layers

著者 (3件)： RAVINDIRAN M. (Saveetha Univ., Chennai, IND) ,  MAHALAKSHMI S. (Saveetha Univ., Chennai, IND) ,  SHANKAR P. (Saveetha Univ., Chennai, IND)
資料名： IET Conference Publications  (IET Conference Publications)
巻： 624  ページ： 174-181  発行年： 2012年 
JST資料番号： B0665A  ISSN： 0537-9989  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一電子トランジスタ(SET)における,カーボンナノチューブ(CNT)と酸化チタン層を用いたアイランド領域のモデリングと解析をおこなった。SETは,Coulombブロッケードと呼ばれるアイランド領域を通じたソースからドレインへの電子トンネル現象に基づいて機能する。これは,異なるエネルギーバンドギャップを持つ材料をアイランド領域に配置することによって達成される。本研究では,ソースとドレインの間にCNTもしくは酸化チタンを配置することにより,異なる2つの方式のアイランド領域を形成して,そのモデリングと解析をおこなった。Material StudioソフトウェアおよびCASTEPシミュレータを用いたシミュレーション結果を提示した。

シソーラス用語： トンネル効果 ,  *Coulombブロッケード ,  *単一電子トランジスタ ,  カーボンナノチューブ ,  酸化チタン ,  プログラムパッケージ
準シソーラス用語： CASTEP

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単一電子トランジスタ ,  ナノチューブ ,  酸化層 ,  アイランド ,  モデリング ,  解析