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J-GLOBAL ID：201402259487980418   整理番号：14A0709623

MoS₂の欠陥支配ドーピングと接触抵抗

Defect-Dominated Doping and Contact Resistance in MoS₂

著者 (5件)： MCDONNELL Stephen (Univ. Texas at Dallas, Texas, USA) ,  ADDOU Rafik (Univ. Texas at Dallas, Texas, USA) ,  BUIE Creighton (Univ. Texas at Dallas, Texas, USA) ,  WALLACE Robert M. (Univ. Texas at Dallas, Texas, USA) ,  HINKLE Christopher L. (Univ. Texas at Dallas, Texas, USA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 8  号： 3  ページ： 2880-2888  発行年： 2014年03月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低抵抗コンタクトの実現は,遷移金属ジカルコゲナイドに基づくナノ電子デバイスを実現する上で不可欠である。MoS₂中の固有の欠陥は,金属/MoS₂接触抵抗を支配し,金属コンタクトの仕事関数に関係なく低いショットキー障壁をもたらすことを見出した。さらに,MoS₂は同一サンプル上の異なる点で,n型とp型の両方の伝導を示すことができることも見出した。補完的な特性評価技術によってこれらの領域を独立に特定し,数十ナノメートルの空間分解能でFermi準位を1eVシフトさせる方法を示した。ドーピングの変動は欠陥-化学に関連しており,接触金属とは無関係であった。これは,MoS₂と接触している同じ金属がn型とp型の両方の挙動を示すので,MoS₂の金属誘起ドーピングの従来の報告に対して問題を提起している。本結果は,単一の金属堆積による低電子および低ホールショットキー障壁コンタクトを達成するための,潜在的な解を提供している。

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *ドーピング ,  *接触抵抗 ,  *格子欠陥 ,  *Schottky障壁 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  Fermi準位 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 欠陥支配ドーピング ,  固有欠陥

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： MoS2 ,  欠陥 ,  支配 ,  ドーピング ,  接触抵抗