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J-GLOBAL ID：201402259984577775   整理番号：14A0870366

Sイオンを注入したZnOエピタキシャル膜中のZn格子間種と関係する2種類の浅いドナー

Two shallow donors related to Zn interstitial in S-ion implanted ZnO epitaxial film

著者 (3件)： KAMIOKA K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  KURIYAMA K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  KUSHIDA K. (Osaka Kyouiku Univ., Osaka, JPN)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 188  ページ： 12-14  発行年： 2014年06月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *イオン注入 ,  格子間原子 ,  *ドナー ,  浅い準位 ,  硫黄 ,  エピタクシー ,  *電気抵抗率 ,  活性化エネルギー ,  Rutherford散乱分光法 ,  イオンチャネリング ,  複合欠陥 ,  キャリア密度 ,  酸化物半導体
準シソーラス用語： Rutherford後方散乱分光法

分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： イオン ,  注入 ,  ZnO ,  エピタキシャル膜 ,  Zn ,  格子 ,  浅いドナー