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J-GLOBAL ID：201402260163761444   整理番号：14A1297524

高い吸光係数を持つSi量子ドット:レーザーアブレーション法による生成

著者 (3件)： 北迫拓史 (広島大 大学院) ,  齋藤健一 (広島大 大学院) ,  齋藤健一 (広島大 N-BARD)
資料名： 日本化学会中国四国支部大会講演要旨集
巻： 2013  ページ： 73  発行年： 2013年11月16日 
JST資料番号： L1355B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *ナノ粒子 ,  ナノ構造 ,  *レーザアブレーション ,  ナノ結晶 ,  *パルスレーザ ,  レーザ蒸着 ,  *液相 ,  ウエハ【IC】 ,  Nd-YAGレーザ ,  化学合成 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  ICP-ES分析 ,  *吸収係数 ,  光吸収 ,  動的光散乱 ,  透過型電子顕微鏡 ,  粒径 ,  粒度分布 ,  赤外吸収スペクトル ,  表面構造 ,  シリコンウエハ ,  パルスレーザアブレーション ,  平均粒子径 ,  *相 ,  構造
準シソーラス用語： モル吸光係数 ,  液相パルスレーザーアブレーション ,  表面状態 ,  平均粒径 ,  誘導結合プラズマ発光分析法 ,  粒径分布

分類 (4件)： 特殊加工  (QC04000Y) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  レーザの応用  (BD04100V) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 吸光係数 ,  Si ,  量子ドット ,  レーザーアブレーション法