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J-GLOBAL ID：201402260206078085   整理番号：14A0443216

歪シリコンの価電子バンドへの内部歪の効果とその結合角との相関

Internal-strain effect on the valence band of strained silicon and its correlation with the bond angles

著者 (3件)： INAOKA Takeshi (Dep. of Physics and Earth Sciences, Fac. of Sci., Univ. of the Ryukyus, 1 Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN) ,  YANAGISAWA Susumu (Dep. of Physics and Earth Sciences, Fac. of Sci., Univ. of the Ryukyus, 1 Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN) ,  KADEKAWA Yukihiro (Dep. of Physics and Earth Sciences, Fac. of Sci., Univ. of the Ryukyus, 1 Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 115  号： 6  ページ： 063702-063702-14  発行年： 2014年02月14日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *価電子バンド ,  *結合角 ,  密度汎関数法 ,  変位 ,  圧縮 ,  引張 ,  *歪 ,  *バンドギャップ ,  結晶構造 ,  *内部歪 ,  *歪シリコン ,  原子変位

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 歪シリコン ,  価電子バンド ,  内部歪 ,  結合角 ,  相関