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J-GLOBAL ID：201402260243434274   整理番号：14A0046435

ジャンクションレストランジスタにおけるNEGF法を用いたデバイスシミュレーション-不純物散乱と遮蔽の影響の考察-

NEGF Simulation for Studying Effect of Screening and Impurity Scattering in Junctionless Transistors

著者 (5件)： 植田暁子 (筑波大) ,  LUISIER Mathieu (チューリッヒ工科大) ,  吉田勝尚 (筑波大) ,  本多周太 (筑波大) ,  佐野伸行 (筑波大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 296(SDM2013 99-115)  ページ： 61-64  発行年： 2013年11月07日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高濃度にドープされたn型のシリコンナノワイヤで構成されたジャンクションレストランジスタ(JLT)において,遮蔽効果を伴ったイオン化不純物散乱の移動度への影響を調べた。電気伝導特性と移動度の計算には,sp³d⁵s^*タイトバインディングを用いた非平衡グリーン関数(NEGF)法を適用した。ゲート電圧の印加によってチャネル中の伝導電子の濃度が高くなるにつれて,伝導電子によるイオン化した不純物クーロンポテンシャルの遮蔽が強まり,移動度が増大することを検証した。特に,伝導電子とイオン化不純物の極性が反対で不純物濃度が高濃度の場合,オン電流での高い移動度が実現できることから,伝導特性の向上が期待される。(著者抄録)

シソーラス用語： *N型半導体 ,  *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  キャリア散乱 ,  スクリーニング ,  キャリア移動度 ,  チャネル ,  濃度 ,  *FET【トランジスタ】 ,  短チャネル効果 ,  *ドーピング ,  Green関数 ,  近似法 ,  *電気伝導 ,  強束縛近似 ,  伝導電子 ,  Coulombポテンシャル ,  不純物濃度 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： 不純物散乱 ,  電子濃度 ,  非平衡Green関数 ,  タイトバインディング近似 ,  デバイスシミュレーション

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： デバイスシミュレーション ,  不純物散乱 ,  遮蔽