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J-GLOBAL ID：201402260570539020   整理番号：14A0268789

ウェットエッチング法により形成した高ヘイズテクスチャ付きガラス基板上のZnO:Al薄膜

著者 (4件)： 田代真樹 (岐阜大) ,  清水信孝 (岐阜大) ,  三浦修平 (岐阜大) ,  野々村修一 (岐阜大)
資料名： 薄膜太陽電池セミナー
巻： 4th  ページ： 128  発行年： 2012年 
JST資料番号： L3188B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *アルミニウム ,  ドーピング ,  *透明導電膜 ,  *テキスチャード加工 ,  *基板 ,  *エッチング ,  光散乱 ,  *太陽電池 ,  アモルファスシリコン ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： *ガラス基板 ,  光路長 ,  ヘイズ ,  *薄膜太陽電池

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： ウェットエッチング ,  ヘイズ ,  テクスチャ ,  ガラス基板 ,  ZnO ,  Al ,  薄膜