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J-GLOBAL ID:201402263166178064   整理番号:14A0387093

H2パシベーションによるSiO2マトリックス中に埋込まれたSiナノ結晶からの光ルミネセンスの増強と安定性

Enhancement and stability of photoluminescence from Si nanocrystals embedded in a SiO2 matrix by H2-passivation
著者 (8件):
資料名:
巻: 300  ページ: 178-183  発行年: 2014年05月01日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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高効率発光するSiO2に埋め込まれたSiナノ結晶(Si-NC/SiO2)をアモルファスSiOx(a-SiOx)のN2アニール及びそれに続くH2パシベーションにより作製し,Si-NC/SiO2からのフォトルミネセンス(PL)に対するパシベーションの影響を調べた。H2パシベーションは時間を変えて400~700°Cの温度範囲で5%H2+95%N2混合気体中で行ったが,それはダングリングボンドを不動態化し,蛍光を増強するのに効果的であった。PL強度はパシベーション時間とともに増大し,パシベーション温度に依存する飽和がすぐ起こった。またH2パシベーションの結果,PLスペクトルのレッドシフトが起きた。発光から明らかになったようにH2パシベーションの効果はほぼ完全に可逆であった。N2中におけるパシベーションした試料のその後の加熱はダングリングボンドを再生するデパシベーション効果をもっており,再生されたダングリングボンドはまたパシベーションできた。Si-NC/SiO2は三回のパシベーション及び逆パシベーション後のパシベーション及びデパシベーションで安定な挙動を示すことが分かった。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体のルミネセンス 

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