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J-GLOBAL ID：201402263701250071   整理番号：14A1261953

高温における窒化ガリウム表面の高フルエンスハイパーサーマルイオン照射

High-fluence hyperthermal ion irradiation of gallium nitride surfaces at elevated temperatures

著者 (5件)： FINZEL A. ,  GERLACH J.w. ,  LORBEER J. ,  FROST F. ,  RAUSCHENBACH B.
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 317  ページ： 811-817  発行年： 2014年10月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンビーム支援分子ビームエピタクシーによって6H-SiC(0001)基板上に堆積したウルツ鉱型GaN膜をいろいろな基板温度でいろいろなフルエンスの超熱窒素イオンで照射した。反射高速電子回折によるその場観察は照射プロセス中にGaN膜の表面構造が高温で二次元から三次元に変化するが,室温では変化しないことを示した。原子間力顕微鏡はより高温でのイオン照射でのナノメートルの孔と峡谷の増強を明らかにした。照射され,加熱されたGaN膜の粗さは,x線反射率測定と一致して,イオン照射で明らかに増加した。選択した温度におけるこの膜の単独熱分解は無視できる。これらの結果を温度に依存したスパッタリングと温度の関数としての表面吸着原子アップヒル拡散を考慮して考察した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *イオン照射 ,  基板温度 ,  *フルエンス ,  炭化ケイ素 ,  *MBE成長 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  表面構造 ,  *表面粗さ ,  スパッタリング ,  *表面拡散 ,  温度依存性 ,  化合物半導体 ,  *トポグラフィー【形態】 ,  反射率 ,  二次元 ,  吸着 ,  三次元 ,  半導体薄膜 ,  その場観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察
準シソーラス用語： X線反射率 ,  表面モルフォロジー ,  6H-SiC

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (1件)： 窒化ガリウム