静電吸着によるシリコン表面上の微粒子除去における微粒子サイズの影響

高橋主人

文献

J-GLOBAL ID：201402264555528204 整理番号：14A0606974

静電吸着によるシリコン表面上の微粒子除去における微粒子サイズの影響

Dependence of Particle Size on the Removal of Particles on a Silicon Surface by Using Electrostatic Force

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 57 号： 4 ページ： 140-143 (J-STAGE) 発行年： 2014年
JST資料番号： G0194A ISSN： 1882-2398 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

本研究では,誘電体フィルムと微粒子を静電気力によって接触させ,微粒子が付着した誘電体フィルムを剥がす場合は高電圧を切断する,新たな静電清浄化技術を開発している。本報告では,微粒子サイズを2~20mmまで広げた結果について述べる。Si表面に付着したガラス球の除去試験を実施し,以下の点を明らかにした。(1)ガラス球の直径が2~20mmにおいて静電気力による除去が可能なことを示した。(2)ガラス球の除去率は低密度ポリエチレン(PE)より軟質ポリ塩化ビニル(PVC)の方が高い。(3)繰り返し除去試験により,PEの場合は1,500V以上の印加電圧で,PVCの場合は500V以上の印加電圧で,80%以上の除去率が得られた。(4)繰り返し除去試験では,最初に大きなガラス球が除去され,次第に小さなガラス球が除去される。誘電体フィルムとガラス球の直接接触が微粒子除去にとって重要であることを再確認した。(5)ガラス球サイズが105~125mm,40~90mm,2~20mmと微細化するにつれて除去率が低下した。印加電圧が3,000VでPEの場合,ガラス球サイズのそれぞれに対し,1回目の除去率は100%,80%,50%であった。

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固体デバイス製造技術一般 , 静電気学,静磁気学

引用文献 (21件)：

1) ITRS 2012 Edition, Table FEP10.
2) M. Kazemi, H. Treichel and R. Ligutorn: Advanced Semicond. Manuf. Conf. (ASMC) 22nd Annual IEEE/SEMI, Saratoga Springs, USA (2011) 1.
3) Q. Qui and G. J. Brereton: IEEE Trans. Ultrason. Ferroelect. Freq. Cont., 42 (1995) 619.
4) H. Lin, K. Chioujones, J. Lauerhaas, T. Freebern and C. Yu: IEEE Trans. Semicond. Manuf., 24 (2007) 101.
5) D. Kim, Y. Kim, J. Ryu and H. Kim: Jpn. J. Appl. Phys., 41 (2002) 4563.

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