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J-GLOBAL ID：201402266157105843   整理番号：13A1954629

_1-xN_xの気相エピタクシーに対するモデルとしてのAs₂,H₂及びN₂条件下のGaAs(100)表面び安定性:第一原理研究

Stabilities of GaAs(100) Surfaces under As₂, H₂, and N₂ Conditions as a Model for Vapor-Phase Epitaxy of GaAs_1-xN_x: a First-Principles Study

著者 (3件)： VALENCIA Hubert (Kyushu Univ.) ,  KANGAWA Yoshihiro (Kyushu Univ.) ,  KAKIMOTO Koichi (Kyushu Univ.)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
巻： 43rd  ページ： ROMBUNNO.07AB07  発行年： 2013年 
JST資料番号： L6730B  ISSN： 2188-7268  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *気相成長 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ素 ,  水素 ,  *吸着 ,  置換反応 ,  窒素 ,  *第一原理 ,  安定性 ,  シミュレーションモデル
準シソーラス用語： *ヒ化窒化ガリウム ,  *気相エピタクシー

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 気相エピタクシー ,  モデル ,  H2 ,  N2 ,  GaAs ,  安定性 ,  第一原理 ,  研究