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J-GLOBAL ID：201402266267608247   整理番号：14A0206466

ダイヤモンドでの単一シリコン空格子点色中心の低温研究

Low-temperature investigations of single silicon vacancy colour centres in diamond

著者 (11件)： NEU Elke (Univ. des Saarlandes, Saarbruecken, DEU) ,  NEU Elke (Univ. Basel, Basel, CHE) ,  HEPP Christian (Univ. des Saarlandes, Saarbruecken, DEU) ,  HAUSCHILD Michael (Univ. des Saarlandes, Saarbruecken, DEU) ,  GSELL Stefan (Univ. Augsburg, Augsburg, DEU) ,  FISCHER Martin (Univ. Augsburg, Augsburg, DEU) ,  STERNSCHULTE Hadwig (Komet RhoBeSt GmbH, Innsbruck, AUT) ,  STERNSCHULTE Hadwig (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  STEINMUELLER-NETHL Doris (Komet RhoBeSt GmbH, Innsbruck, AUT) ,  SCHRECK Matthias (Univ. Augsburg, Augsburg, DEU) ,  BECHER Christoph (Univ. des Saarlandes, Saarbruecken, DEU)
資料名： New Journal of Physics (Web)  (New Journal of Physics (Web))
巻： 15  号： Apr  ページ： 043005 (WEB ONLY)  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： U7017A  ISSN： 1367-2630  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウム上の化学蒸着(CVD)ナノダイヤモンドにおいて,温度依存ルミネセンス分光法を利用して,5~295Kの温度領域で,高品質低応力CVDダイヤモンド膜での単一シリコン空格子点(SiV)中心やSiV中心集団を検討した。SiV中心の零フォノン線(ZPL)の温度依存微細構造を研究した。ZPL遷移は,温度依存均質広がりや不均質広がりの影響を受けた。室温から5Kまでの温度領域において,約20cm^-1の青方偏移を観測した。g⁽²⁾の励起出力依存測定法を用いて,単一SiV中心の温度依存内部分布動力学を検討し,温度独立動力学を推測した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ナノ結晶 ,  *ダイヤモンド ,  *薄膜 ,  温度依存性 ,  青方偏移 ,  微細構造 ,  *空格子点 ,  低温研究 ,  ケイ素 ,  *色中心 ,  インジウム ,  化学蒸着 ,  スペクトロスコピー ,  フォノン ,  スペクトル線広がり ,  動力学 ,  *光ルミネセンス
準シソーラス用語： CVDダイヤモンド ,  *ダイヤモンド膜 ,  ナノダイヤモンド

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ダイヤモンド ,  シリコン ,  空格子点 ,  低温 ,  研究