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J-GLOBAL ID:201402266448714863   整理番号:14A1269803

粒子転写法により作製したBaTaO2N光アノードの光電流安定性

著者 (8件):
資料名:
巻: 114th  ページ: 281  発行年: 2014年09月18日 
JST資料番号: S0874A  ISSN: 1343-9936  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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粒子転写法により作製したBaTaO2N電極にCoPiを電析してCoPi/BaTaO2N電極を得た。コンタクト層としてTaを用い,かつ600°Cで成膜した場合に最も高い光電流が得られた。このCoPi/BaTaO2N電極は,1.0V vs RHEで0.3%程度のABPEを示し,8時間以上安定に動作した。(著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (2件):
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不均一系触媒反応  ,  分解反応 
タイトルに関連する用語 (5件):
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