文献

J-GLOBAL ID：201402267095689050   整理番号：14A0312860

星枝状p-タイプポリマーおよびそれらのドナー-アクセプタブレンドを用いることによるペンタセンの高性能非揮発性トランジスタメモリ

High performance nonvolatile transistor memories of pentacene using the electrets of star-branched p-type polymers and their donor-acceptor blends

著者 (8件)： CHIU Yu-Cheng (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN Tzu-Ying (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHUEH Chu-Chen (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHANG Hung-Yu (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  SUGIYAMA Kenji (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  SHENG Yu-Jane (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  HIRAO Akira (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  CHEN Wen-Chang (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 2  号： 8  ページ： 1436-1446  発行年： 2014年02月28日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機非揮発性メモリー(ONVM)デバイスは安価で製造が容易であるなどの点から,近年,多くの関心を集めている。また,ポリマーベースのエレクトレットの性質はOFETメモリ性能に著しい影響を及ぼす。ここでは,星枝状p-タイプポリマーやn-タイプPC₆₁BMとのハイブリッドのエレクトレットを用いたペンタセンベースOFETメモリを調製し,そのキャラクタリゼーションを行った。パラ置換フルオレンをもつポリスチレン(P(StFl)_n(n=1,3,4))をポリマーエレクトレットに用いた。P(StFl)_nのアーム数が増加するのにともない,OFET空孔運動性やメモリーウインドが増強されることが分った。さらに,p-タイプ星枝状ポリマーベースエレクトレットとn-タイプPCBMをブレンドすることにより,デバイス特性はさらに向上した。

シソーラス用語： *芳香族縮合炭化水素 ,  *不揮発性メモリ ,  エレクトレット ,  *FET【トランジスタ】 ,  *記憶装置 ,  ポリスチレン ,  フラーレン ,  空格子点 ,  ポリアセン ,  ドナー-アクセプタ対 ,  原子間力顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  脂環式化合物 ,  共役ジエン
準シソーラス用語： PCBM ,  OFET ,  ペンタセン類 ,  *非揮発性メモリ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  記憶装置  (JC04060F)

物質索引 (1件)： フルオレン

タイトルに関連する用語 (9件)： 星 ,  枝 ,  タイプ ,  ポリマー ,  ドナー ,  ペンタセン ,  高性能 ,  非揮発性 ,  トランジスタ