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J-GLOBAL ID：201402267504890587   整理番号：14A0106519

高電圧LDMOSの準飽和効果に関する研究

Research on the Quasi-saturation Effect of High-voltage LDMOS

著者 (3件)： Zhai Xianzhen (Jiangsu Key Lab. of ASIC Design, Nantong Univ., Jiangsu, Nantong) ,  Wu Haifeng (Jiangsu Key Lab. of ASIC Design, Nantong Univ., Jiangsu, Nantong) ,  Luo Xiangdong (Jiangsu Key Lab. of ASIC Design, Nantong Univ., Jiangsu, Nantong)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 33  号： 5  ページ： 466-471  発行年： 2013年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高破壊電圧を有するLDMOSデバイスの準飽和効果を,SILVACOTCADツールを使って研究した。種々のゲート電圧の下で,チャネルとドリフト領域の両方の,電位,電界,及び電子のドリフト速度を,詳細に分析した。ゲート電圧が低い場合,LDMOSの固有のMOSFETは飽和領域で動作し,ドレイン電流はゲート電圧によって主に制御された。ゲート電圧が増加した場合,LDMOSの固有のMOSFETの’SD’電圧は飽和した動作電圧より低かった。次に,LDMOSの固有のMOSFETは,線形領域で動作した。LDMOSデバイスのS-D電流は,ドリフト領域で主として制御された。そのS-D飽和電流は非常にゆっくり増加し,ゲート電圧の増加よりはるかに低かった。次に,準飽和効果がLDMOSで起きた。最終的に,数値的理論解析を適用して,LDMOSの準飽和効果を深く説明した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *MOSFET ,  計算機システム ,  器具 ,  電流 ,  ドリフト速度 ,  電圧 ,  解析
準シソーラス用語： *LDMOS ,  MOSデバイス ,  CADツール ,  ドレイン電流 ,  ゲート電圧 ,  理論解析 ,  破壊電圧 ,  飽和電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高電圧 ,  LDMOS ,  研究