SWARTZ Adrian G. について
Geballe Lab. for Advanced Materials, Dep. of Applied Physics, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA について
HARASHIMA Satoshi について
SLAC National Accelerator Lab., Stanford Inst. for Materials and Energy Sciences, Menlo Park, California 94025, USA について
XIE Yanwu について
Geballe Lab. for Advanced Materials, Dep. of Applied Physics, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA について
Dep. of Physics, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA について
KIM Bongju について
Geballe Lab. for Advanced Materials, Dep. of Applied Physics, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA について
BELL Christopher について
SLAC National Accelerator Lab., Stanford Inst. for Materials and Energy Sciences, Menlo Park, California 94025, USA について
HIKITA Yasuyuki について
SLAC National Accelerator Lab., Stanford Inst. for Materials and Energy Sciences, Menlo Park, California 94025, USA について
HWANG Harold Y. について
Geballe Lab. for Advanced Materials, Dep. of Applied Physics, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA について
Applied Physics Letters について
ヘテロ接合 について
磁性薄膜 について
誘電体薄膜 について
コバルト について
アルミン酸塩 について
ランタン化合物 について
チタン酸ストロンチウム について
電気伝導 について
レーザ蒸着 について
キャリア移動度 について
電流電圧特性 について
バンド構造 について
顕微鏡観察 について
原子間力顕微鏡 について
RHEED について
磁気抵抗効果 について
エピタクシー について
電子ビーム蒸着 について
パルスレーザ蒸着 について
アルミン酸ランタン について
スピン依存伝導 について
電子移動度 について
金属-絶縁体-半導体構造 について
CO について
LaAlO3 について
ヘテロ接合 について
スピン について
輸送 について