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J-GLOBAL ID：201402267864127175   整理番号：14A0984346

AgGaSe₂の光学定数と電子エネルギーバンド構造

Optical constants and electronic energy-band structure of AgGaSe₂

著者 (2件)： OZAKI Shunji (Gunma Univ., Gunma, JPN) ,  HORI Takehito (Gunma Univ., Gunma, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 7  ページ： 071202.1-071202.5  発行年： 2014年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で垂直偏光(E⊥c)と水平偏光(E∥c)に対して,1.6~5.3eVの光子エネルギー範囲において,分光偏光解析(SE)により,AgGaSe₂黄銅鉱半導体の複素誘電関数スペクトル,ε(E)=ε₁(E)+iε₂(E)を測定した。測定したε(E)スペクトルから,Brillouinゾーン内の臨界点の明瞭な構造が明らかになった。数値的に導いたε(E)スペクトルの分析により,臨界点エネルギーの正確な決定が容易になった。バンド構造と誘電関数計算を行うことにより,これらの臨界点をBrillouinゾーン内の特定に点に同定することに成功した。複素屈折率n^*=n+ik,吸収係数α,垂直入射反射率RなどのようなAgGaSe₂の誘電性に関連する光学定数を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光学定数 ,  *バンド構造 ,  *セレン化物 ,  *銀化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  偏光解析法 ,  黄銅鉱型結晶 ,  誘電関数 ,  複素屈折率 ,  吸収係数 ,  反射率
準シソーラス用語： エネルギーバンド ,  分光偏光解析

分類 (1件)： 無機化合物の可視・紫外スペクトル  (BM08084P)

引用文献 (54件)：

• J. L. Shay and J. H. Wernick, Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties, and Applications (Pergamon, Oxford, U.K., 1975) Chap. 2.
• S. Siebentritt and U. Rau, Wide-Gap Chalcopyrites (Springer, Berlin, 2006) Chap. 1.
• L. Bai, Z. Lin, Z. Wang, C. Chen, and M. H. Lee, J. Chem. Phys. 120, 8772 (2004).
• A. H. Reshak, Physica B 369, 243 (2005).
• C. Mitra and R. L. Lambrecht, Phys. Rev. B 76, 205206 (2007).

タイトルに関連する用語 (3件)： 光学定数 ,  電子エネルギー ,  バンド構造