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J-GLOBAL ID：201402268025499446   整理番号：14A0511981

分光に応用するトレンチゲートフォトセル

A Trench Gate Photo Cell for Spectrometric Applications

著者 (3件)： KAUTZSCH Thoralf (Infineon Technol. Dresden GmbH) ,  SCIRE Alessia (Infineon Technol. Dresden GmbH) ,  VOIGTLAENDER Knut (Advanced Data Processing GmbH, Dresden, DEU)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2013  ページ： 679-682  発行年： 2013年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 可視や近赤外線スペクトルのシリコンへの侵入深さは波長の関数であり,近赤外では数十ミクロンになる。このスペクトル成分では帯電キャリアがバルク深くで作られ,プレーナシリコンフォトダイオードの空間電荷領域に達するまで長い距離を移動しなければならない。もし,電子とホールの分離が発生点近くならば量子効率は改善される。分離のための空間電荷領域はPN接合かゲート電圧で制御されるMOS構造である。後者の場合ゲートバイアス,構造パラメータ,バルクのドーピング濃度が電荷キャリア濃度を決定する。これが傾斜ドープバルクによるトレンチゲートフォトセルの考え方である。ゲート電圧をスイープすると,反転層は上部から下部へ移動して波長の異なる成分を一つのセルで検知できるのである。

シソーラス用語： *スペクトロスコピー ,  構造 ,  空乏層 ,  近赤外線 ,  *フォトダイオード ,  量子効率 ,  不純物濃度 ,  濃度勾配 ,  *素子構造 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： トレンチゲート構造 ,  空間電荷層 ,  濃度傾斜 ,  分光

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 分光 ,  応用