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文献
J-GLOBAL ID:201402268502349036   整理番号:14A0413211

SiO2上の電子照射非晶質GeにおけるAu誘起横方向結晶化の向上

Enhanced Au induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO2
著者 (9件):
資料名:
巻: 557  ページ: 151-154  発行年: 2014年04月30日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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SiO2上の電子照射非晶質Geにおける低温でのAu誘起横方向結晶化について,調査した。高エネルギー電子照射により,Au誘起横方向結晶化をもたらすための臨界アニーリング処理時間の短縮を実現した。更に,電子照射による試料の横方向結晶化領域は,電子照射を施さない試料と同様に高い結晶品質であった。点欠陥を非晶質Geに導入することで,Au原子を容易に拡散できるという理由により,SiO2/Si基板における非晶質GeのAu誘起横方向面結晶化は,電子照射により向上するという仮説を提唱した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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