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J-GLOBAL ID：201402269269908034   整理番号：14A0023400

毎秒1ギガフレームに向けて-画素周辺記録型撮像デバイスの進化

Toward One Giga Frames per Second - Evolution of in Situ Storage Image Sensors

著者 (4件)： ETOH Takeharu G. (Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN) ,  SON Dao V. T. (Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN) ,  YAMADA Tetsuo (Tokyo Polytechnic Univ., Atsugi, JPN) ,  CHARBON Edoardo (Technische Universiteit Delft, Delft, NLD)
資料名： Sensors (Web)  (Sensors (Web))
巻： 13  号： 4  ページ： 4640-4658 (WEB ONLY)  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： U7015A  ISSN： 1424-8220  CODEN： SENSC9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ISISは画素内記録型の超高速撮像センサである。このISISの過去の進化をレビューし,近未来を予想した。光シールドによって記録領域を覆うと,従来型の前方側面照射されたISISではフィルファクタが制限される。高い感度を達成するために,BSI ISISを開発した。光の直接的侵入と前側の蓄積領域への信号電子の移動を回避するために,厚いpnpn層を持つ断面センサ構造を開発し,Tetratified構造と名付けた。ピクセル蓄積CCDを折り畳み,ループ構造とした,画像信号蓄積センサISASを提案した。このISASは,超高速撮像に加えて,インピクセル信号蓄積という新機能を備えている。より高いフレーム速度を実現するために,マルチ収集ゲート(MCG)BSIイメージセンサアーキテクチャを提案した。この光受容領域をハニカム状形状に形成した。六角形CCD型MCG BSIセンサの性能をシミュレーションによって調べた。フレーム速度の最高は,理論的に1Gfps以上であった。近い将来,積層型CCD/CMODSハイブリッドMCGイメージセンサは最も有望と考えられる。関連する問題を検討した。この構造を実現する上では,精密なTSVプロセスが重要技術である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *撮像装置 ,  伝送速度 ,  画像信号 ,  記録 ,  素子構造 ,  半導体接合 ,  電荷結合素子 ,  ゲート回路 ,  高速化
準シソーラス用語： CCD【素子】 ,  PNPN接合 ,  フレーム速度 ,  画像蓄積 ,  *撮像デバイス ,  超高速

分類 (1件)： 電荷移送デバイス  (NC03130E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 画素 ,  周辺 ,  記録型 ,  撮像デバイス ,  進化