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J-GLOBAL ID：201402269357790191   整理番号：14A0648740

MoS_2(1-x)Se_2x大面積二次元半導体合金の成長

Growth of Large-Area 2D MoS_2(1-x)Se_2x Semiconductor Alloys

著者 (17件)： FENG Qingliang (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  FENG Qingliang (National Center for Nanoscience and Technol., CAS, Beijing, CHN) ,  FENG Qingliang (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  ZHU Yiming (National Center for Nanoscience and Technol., CAS, Beijing, CHN) ,  HONG Jinhua (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  ZHANG Mei (National Center for Nanoscience and Technol., CAS, Beijing, CHN) ,  DUAN Wenjie (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  MAO Nannan (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  MAO Nannan (National Center for Nanoscience and Technol., CAS, Beijing, CHN) ,  WU Juanxia (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  XU Hua (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  DONG Fengliang (National Center for Nanoscience and Technol., CAS, Beijing, CHN) ,  LIN Fang (South China Agricultural Univ., Guangzhou, CHN) ,  JIN Chuanhong (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  WANG Chunming (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  ZHANG Jin (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  XIE Liming (National Center for Nanoscience and Technol., CAS, Beijing, CHN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 26  号： 17  ページ： 2648-2653  発行年： 2014年05月07日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ケイ素/ケイ素基板上に共蒸着により硫セレン化モリブデンMoS_2(1-x)Se_2x(x=0~0.40)の大面積の薄膜を作製した。原子間力顕微鏡,走査電子顕微鏡,X線光電子スペクトル,HAADF-STEMによりキャラクタリゼーションを行った。硫黄/セレン原子はモリブデンまわりにランダム配置し,組成により発光バンドを制御できた。電流電圧特性を測定し,いずれの組成も半導体であることを確かめた。

シソーラス用語： 酸化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  同時蒸着 ,  *モリブデン化合物 ,  *セレン化物 ,  *硫化物 ,  *薄膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線光電子スペクトル ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  発光スペクトル ,  バンドギャップ ,  電流電圧特性 ,  化合物半導体 ,  *光ルミネセンス
準シソーラス用語： HAADF-STEM ,  ケイ素基板 ,  共蒸着

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： MoS2 ,  大面積 ,  二次元半導体 ,  合金 ,  成長