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J-GLOBAL ID：201402269640805855   整理番号：14A0780618

伸縮性デバイス部品だけからなる高伸縮性高分子トランジスタ

Highly Stretchable Polymer Transistors Consisting Entirely of Stretchable Device Components

著者 (6件)： SHIN Minkwan (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  SONG Jun Hyuk (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LIM Guh-Hwan (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LIM Byungkwon (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  PARK Jong-Jin (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-Do, KOR) ,  JEONG Unyong (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 26  号： 22  ページ： 3706-3711  発行年： 2014年06月11日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界紡糸したポリ(スチレン-b-ブタジエン-b-スチレン)ブロック共重合体マットを基板,伸縮性金電極(積層した6層以上の金単一層)を電極,電界紡糸したポリ(3-ヘキシルチオフェン)-ポリカプロラクトン混合物をゲート半導体,ポリ(エチレングリコール)ジアクリレート-2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノンおよび1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド混合物をゲート誘電体として,伸縮性電界効果トランジスタを作製し,歪率ε=0.7で約18cm²/Vsの移動度および10⁵のオンオフ電流比を得た。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *高分子半導体 ,  SBS【重合体】 ,  ポリエチレングリコールジアクリレート ,  電子技術 ,  エレクトロスピニング ,  ポリヘキシルチオフェン ,  キャリア移動度 ,  比率 ,  *伸び ,  *収縮
準シソーラス用語： P3HT【重合体】 ,  オンオフ比 ,  ポリスチレン-ブタジエン-スチレン ,  伸縮性エレクトロニクス ,  有機電界効果トランジスタ

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： 2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-1-プロパノン ,  1-エチル-3-メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミンアニオン

タイトルに関連する用語 (2件)： 伸縮性 ,  分子トランジスタ