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J-GLOBAL ID:201402269791733651   整理番号:13A1964415

超短パルスを伴うインジウム錫酸化物(ITO)の並列パターン処理

Parallel patterning of indium tin oxide with ultra short pulses
著者 (5件):
資料名:
巻: 29  号:ページ: 660-666  発行年: 2013年10月 
JST資料番号: A0614C  ISSN: 0267-0844  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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透明導電性酸化物(TCO)は基板に析出させ,必要なパターンに加工の上,広い用途に利用している。パターンを得るにはいくつかの方法があるが,製造工程に多くの課題がある。直接パターンを書く長パルスレーザー法があるが,TCO基板を損傷する事がある。対して超短パルスレーザー法は熱負荷が無視できるほどであり,短パルス幅と小さなビーム径のため高いピークパワーを得ることができる。パワーの一部分によってTCOの大部分を除くことができるが,余分なパワー有効利用する一つの方法は,コンピューターで発生させるホログラム(CGH)を備えた空間光変調器(SLM)を使う多重ビーム,Nの生成によるものである。TCO薄膜をスクライブする新奇な方法として,並列処理を例示するためにSLMと併せた超短ピコ秒レーザー法を使った。実験内容では,ITOを加工した試料としない試料の準備とレーザー照射条件をまとめた。さらに最初に単一パルス除去閾値を決定するために,表面にへこみを形成した。その後,条件を変えたトラックを形成し,光学顕微鏡,走査電子顕微鏡により測定した。さらに並列処理では,回折格子としてふるまうLCD上のCGH生成のためSLM端末を使う方法を解説した。CGHのグレースケールを変えることによって,生成される順序の数そしてそれぞれのビームの強度を変える。以上の実験で得た条件を利用した結果,機能する回路をSLMと併用するピコ秒レーザーを使った薄いITO膜のマイクロプロセッシングによって製作した。ITO薄膜とガラス間の除去閾値の差を求め,基板への損傷は外見上無いことを確認し,閾値に対するプロセス条件の影響をまとめた。これらの技術により二つの回路を同時に形成し,製造時間は半分になるとした。
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
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