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J-GLOBAL ID：201402270614466676   整理番号：14A1224853

新しいHfO₂ベース1T強誘電体不揮発性メモリにおける耐久性劣化原因

Origin of the Endurance Degradation in the Novel HfO₂ based 1T Ferroelectric Non-Volatile Memories

著者 (14件)： YURCHUK Ekaterina (NaMLab gGmbH, Dresden, DEU) ,  MUELLER Stefan (NaMLab gGmbH, Dresden, DEU) ,  MARTIN Dominik (NaMLab gGmbH, Dresden, DEU) ,  SLESAZECK Stefan (NaMLab gGmbH, Dresden, DEU) ,  SCHROEDER Uwe (NaMLab gGmbH, Dresden, DEU) ,  MIKOLAJICK Thomas (Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU) ,  MUELLER Johannes (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU) ,  PAUL Jan (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU) ,  HOFFMANN Raik (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU) ,  SUNDQVIST Jonas (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU) ,  SCHLOESSER Till (GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU) ,  BOSCHKE Roman (GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU) ,  VAN BENTUM Ralf (GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU) ,  TRENTZSCH Martin (GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2014 Vol.1  ページ： 124-128  発行年： 2014年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 酸化ハフニウム ,  *不揮発性メモリ ,  FET【トランジスタ】 ,  強誘電体 ,  *耐久性 ,  機構 ,  信頼性 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： FeFET ,  メモリウィンドウ【半導体】 ,  *劣化機構

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： HfO2 ,  強誘電体 ,  不揮発性メモリ ,  原因