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J-GLOBAL ID:201402270867529321   整理番号:14A0289775

中赤外用途の全半導体プラズモニクス

All-semiconductor plasmonics for mid-IR applications
著者 (5件):
資料名:
巻: 8807  ページ: 880702.1-880702.9  発行年: 2013年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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金属と誘電体の界面で発生する表面プラズモンポラリトン(SPP)はメタ材料やメタ表面の分野における極めて興味深い現象である。本研究では,GaSb基板上にMBE成長させた高ドープInAsSb層を調べ,電気特性と光学特性は金属挙動を明らかにした。また,InAsSb層中にサブ波長の周期配列を作製し,表面プラズモン共鳴(SPR)を観測した。ドーピング水準と周期配列の構造を制御することで,SPRの周波数を調節できた。GaSbに基づく材料は全半導体中赤外プラズモン素子の構成ブロックになり得る。
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分類 (1件):
分類
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固体プラズマ 
タイトルに関連する用語 (2件):
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