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J-GLOBAL ID：201402270946813329   整理番号：14A1087505

シリコンフォトニクスを用いたスケーリング計算

Scaling computation with silicon photonics

著者 (3件)： KIMERLING Lionel C. (Massachusetts Inst. Technol., USA) ,  KWONG Dim-Lee (Agency for Sci., Technol. and Res., SGP) ,  WADA Kazumi (Univ. Tokyo, JPN)
資料名： MRS Bulletin  (MRS Bulletin)
巻： 39  号： 8  ページ： 687-695  発行年： 2014年08月 
JST資料番号： W1595A  ISSN： 0883-7694  CODEN： MRSBEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 情報技術の開発の一環として,本研究では,シリコンフォトニクスを用いたスケーリング計算を論じた。エレクトロニクスとモノリシックに集積したシリコンフォトニクスは,機能性のスケーリングに対して,有望なプラットホームを提供する。この機能の設計に対するシステムパラメータは,コスト,エネルギーおよびバンド幅密度である。λ=1550nmの波長に関する透過について,Si,Ge,Si₃N₄およびSiO₂の各材料,ならびに標準的な相補型金属酸化膜半導体(CMOS)鋳込処理に対して,プラットホームを構築した。精密なパターン移動によって,フォトニック配線と信号処理とが可能になったことを記した。

シソーラス用語： *オプトエレクトロニクス ,  *半導体 ,  *CMOS構造 ,  ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  窒化ケイ素 ,  縮小 ,  *電子技術 ,  バンド構造 ,  Mach-Zehnder干渉計 ,  赤外吸収スペクトル ,  鋳込 ,  *集積回路 ,  二酸化ケイ素 ,  CMOS
準シソーラス用語： シリカ ,  *シリコンフォトニクス ,  スケーリングダウン ,  モノリシック集積化 ,  相補型金属酸化膜半導体

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコンフォトニクス ,  スケーリング ,  計算